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半岛体彩·7月挖掘机数据持续超预期继续看好工程机械和新兴产业

来源:半岛体彩最新网址 作者:半岛体彩官方下载 2024-05-18 12:01:35

  徐工机械、晶盛机电、杰克股份、埃斯顿、华测检测、新筑股份、诺力股份、长川科技、璞泰来、赢合科技、天奇股份、弘亚数控、建设机械。建议重点关注至纯科技。

  本周指数及估值:8月6日-8月10日(共5个交易日)沪深300指数上涨2.7%,机械行业指数上涨2.6%,国防军工行业指数上涨1.9%。机械子板块中,涨幅最大的是工程机械,涨幅为6.07%。

  本周专题:半导体清洗设备,国产化之路势在必行。清洗工艺步骤占所有工艺步骤数30%,是晶圆的性能至关重要。据估计,晶圆加工工艺十分复杂,20nm技术节点工艺步骤约500步,7nm技术将超过1000步。随着工艺节点的不断缩小,对于那些寻求先进工艺节点芯片生产方案的制造商来说,有效的无损清洁将是一个重大挑战,尤其是10nm、 7nm甚至更小的芯片。

  据SEMI统计,2016年全球清洗设备市场规模达到27亿美元,2017年达到32.3亿美元,而ACMR估计, 2020年,清洗设备市场规模将达到37亿美元。随着清洗工序不断增加,且新建产线年至2016年,单晶清洗设备市场被迪恩士、东京电子、泛林与细美事(SEMES)和ACM Research四家公司基本垄断。国内厂商近几年开始逐步进入产品放量阶段。重点推荐北方华创,关注至纯科技、盛美半导体。

  7月挖机销量继续高增长,国产市占率进一步提升。7月挖机销量11,123台,同比增加45.3%;1-7月累计销量131,246台,同比增长58.7%。出口销量是最大亮点,当月出口当月出口1,807台,同比增长172.55%。7月小松挖机开机时间133.8小时,环比持平。7月挖机销量超预期,我们认为可能的原因为市场受房地产悲观预期影响而对于下游开工量过度担忧,忽略了基建投资托底和环保因素带来的强制性更新。环保因素带动大挖销量高增长,关注结构性变化带来的盈利提升:7月大/中/小挖当期同比增速42.6%/40.8%/26.5%;1-7月累计同比增速69.4%/76.5%/43.6%。中挖/大挖销量增速持续高于小挖。维持18~19年销量预计超19万和20万台预测不变,国产四强市占率持续提升,资产负债表修复后利润释放加速,重点龙头公司资产质量不断改善。重点推荐:三一重工、恒立液压、浙江鼎力、徐工机械。

  油价回暖,重视油服投资机遇。受国际博弈、供需紧平衡、页岩油产能无法充分释放等因素叠加,油价今年仍然有望维持在70-80美金/桶高位。油价回升带动了资本开支回暖,油公司正在加紧对于长周期投资的布局。需求的改善带来了油服及设备毛利率的提升,2018年有望成为油服公司业绩全面向上的拐点。重点推荐杰瑞股份、关注中曼石油,安东油田服务。

  中芯国际14nm获得重大突破,半导体设备国产化进程加速。根据中芯国际2018年第二季度报表,中芯国际14nmFinFET技术上取得重大突破,第一代FinFET技术研发已经送样客户。同时公司28nmHKC+技术开发也已经完成,28nmHKC持续上量,良率达到业内领先水平。2018Q1全球半导体设备支出170亿美元,同比增长30%;预计2018-2019 年同比增速为14%/9%,实现连续四年增长并再创新高。国产设备已经全面进入28nm生产线nm生产线,有望充分受益于本轮国内晶圆厂投资。上游硅片开始进入密集扩产期,相应的设备公司具备较大弹性。重点推荐晶盛机电、北方华创,关注长川科技、至纯科技。

  7月新能源乘用车同比增长7成。7月新能源狭义乘用车批发销售7.1万台,同比增长7成,且纯电和插混表现均强;1-7月新能源乘用车销量达42万台,同比增长1倍。在历经补贴政策调整后,新能源发展呈现稳定较强特征,7月传统燃油车零售增速-5%,新能源车实现高增长,成为拉动车市增速和增量核心动力。其中7月的纯电动轿车56%的增速,插电混动同比增速135%。特斯拉落户上海带动50万辆车增量,CATL大规模招标开启,LG化学启动南京扩建项目,银隆风险有限。

  7月以来利好消息频传:特斯拉公司与上海临港管委会、临港集团共同签约启动纯电动车项目投资,规划年产50万辆纯电动整车,中长期看将带动百亿设备投资;宁德时代大规模招标开启,宁德本部和时代上汽2019年投产产能有望达到13GWh和16GWh;17日韩国LG化学的电池项目与南京江宁滨江开发区正式签约,预计将总投资20亿美元、年产动力电池32GWh,规划建设电极、电芯生产线月量产、2023年全面达产;南京银隆在查封后2天解封,风险有限。重点推荐:先导智能、诺力股份、赢合科技,受益标的:璞泰来、科恒股份、天奇股份等。

  国内6月工业机器人实现同比7.2%增长,2017国产机器人市占率首降。国家统计局公布的数据显示,6月份中国工业机器人产量为13777(台/套),实现了 7%的同比增长。今年上半年,工业机器人产量累计增长24%。伴随外资机器人企业产能释放,国内机器人市场竞争加剧,采取过度价格竞争、而缺乏产品竞争力的参与者最终可能出局,行业竞争格局有望改善、不断向富有技术竞争力的龙头企业集聚。建议关注埃斯顿、中大力德、拓斯达等。

  1.1.清洗设备是半导体制造重要一环半导体清洗设备是半导体制造业中十分关键的环节,几乎每道工序都涉及清洗的问题,清洗设备的质量高低直接影响到硅片的性能好坏。

  从概念上讲,集成电路制造过程中的硅片清洗是指在氧化、光刻、外延、扩散和引线蒸发等工序前,采用物理或化学方法去除硅片表面的污染物和自身氧化物,以得到符合清洁度要求的硅片表面的过程。广泛应用于集成电路、半导体照明、先进封装、微机电系统、电力电子、化合物和功率器件等领域。

  高规格的硅晶片对表面的洁净度要求非常严格,理论上不允许存在任何颗粒、金属离子、有机粘附、水汽、氧化层,而且晶圆表面要求具有原子级的平整度,晶圆边缘的悬挂键以结氢终止。目前,由于晶圆清洗技术的缺陷,大规模集成电路中因为材料的洁净度不够而产生问题甚至失效的比例达到50%。表1:半导体硅晶圆主要清洗工艺

  其中,化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用,或伴以超声、加热、抽真空等物理措施,使杂质从被清除物体的表面脱附(解吸) ,然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗 , 从而获得洁净表面的过程。化学清洗又可分为干法化学清洗和湿法化学清洗。干法清洗技术,一般是指不采用溶液的清洗技术,是一种气相化学处理方法,通常需利用等离子体、紫外线、激光产生的激活能在低温下加强化学反应。在集成电路制备中使用的干法清洗技术有HF/H2O气相清洗、紫外线-臭氧清洗(UVOC)、H2/Ar等离子清洗、热清洗等多种干法清洗工艺。目前通常采用的干法清洗技术有:等离子体清洗技术、气相清洗等。等离子体清洗属于全干法清洗,而气相法清洗属于半干法清洗。

  湿法清洗技术,一般是指采用腐蚀性和氧化性的化学溶剂进行喷雾、擦洗、蚀刻和溶解随机缺陷,使硅片表面的杂质与溶剂发生化学反应生成可溶性物质、气体或直接脱落,并利用超纯水清洗硅片表面并进行干燥,以获得满足洁净度要求的硅片。而为了提高硅片清洁效果,可以采用、加热、真空等辅助技术手段。湿法清洗包括纯溶液浸泡、机械擦拭、超声/兆声清洗、旋转喷淋法等。

  7nm技术将超过1000步。但是,由于每经过一道芯片制造工艺,晶圆表面或多或少会被污染,因此几乎所有制程之前或后都需要清洗,清洗工艺不仅需要超强去污,而且不能对晶片表面的精细图形结构造成损伤,因此半导体清洗设备行业壁垒较高。当设备尺寸缩小到20nm以下时,晶圆制程复杂性会大大提升,清洗步骤数量也会大幅增长。

  大规模集成电路的不断发展,使得半导体清洗重要性和高精度要求就显得尤为必要。一方面,现代微电子技术工业对工艺过程中硅片的清洁度要求越来越高,需要有十分专业的半导体清洗设备才能够达到其清洗参数要求。在工艺节点为35nm时,参数要求已经较高,需要保证硅片表面颗粒及COP密度小于0.1个/每平方厘米,表面临界金属元素的密度小于109个原子/每平方厘米。而现在及未来工艺节点7nm以下的半导体则对硅片提出了更高的清洁参数要求。

  根据全球半导体观察的报道,目前国际集成电路制造先进制造技术是14—10nm工艺节点,前端制造到达7nm工艺节点,2018年下半年将量产,5—3nm节点技术正在研发中。

  随着工艺节点的不断缩小,对于那些寻求先进工艺节点芯片生产方案的制造商来说,有效的无损清洁将是一个重大挑战,尤其是10nm、 7nm甚至更小的芯片。为了扩展摩尔定律,芯片制造商必须能够从不仅平坦的晶圆表面除去更小的随机缺陷,从而进一步加大了设备投资需求,以满足市场对于先进工艺节点的需求,总体上而言,半导体生产设备占到投资额度的60%~70%,并且随着工艺节点的缩小,设备投资需求就越来越大。

  主要有以日本Dainippon Screen(DNS)为代表的喷淋旋转式清洗技术和以美国Lam Research的SEZ为代表的硅片高速旋转式清洗技术。两个技术都是基于将化学处理液喷淋到正在旋转中的晶圆上。喷淋技术重点利用射流产生的动力,而旋转技术主要利用旋转晶圆产生的离心力。目前,主流运用为单晶圆湿法清洗技术,它采用的是单片旋转清洗法,化学试剂和水通过浸没喷洒不断供应到晶圆表面,而用的化学试剂和水会直接排掉,并且回收循环过滤再利用,这样能有效地防止二次污染。可运用的前道工艺的成膜前/后清洗、栅极清洗、硅化物清洗、化学机械平坦化后清洗、标准RCA清洗,后道工艺的通孔刻蚀后的清洗、沟槽刻蚀后的清洗、衬垫去除后的清洗、钝化层清洗。自动清洗台

  ,又称为槽式全自动清洗设备,利用机械手臂将放置晶圆的载体依次放入槽中同步清洗,与传统的清洗设备相比能够实现全自动倒片装置,使自动化程度更高,且兼容8寸、12寸硅片清洗。还具有兆声波系统、管路防静电等配置。能够同时清洗数十个硅片。机台通吃采取模块化设计,能够根据客户的需求配置不同的清洗模块,方便客户扩展工艺广泛运用于集成电路领域和先进封装领域,比如集成电路领域包括膜前清洗、去胶清洗、氮化硅腐蚀、RCA清洗、外延前清洗,先进封装领域则包括TSV刻蚀后清洗、UBM/RDL清洗、键合清洗等。其优点为应用范围较广、产能高且产品技术成熟度高;而其缺点为洁净室占地大、化学品与纯度不高。洗刷台

  ,采取旋转喷淋的方式,配合机械擦拭,主要运用于包括锯晶圆、晶圆磨薄、晶圆抛光、研磨、 CVD等环节中,在晶圆抛光后清洗中占有重要地位。其他主流设备还包括清洗设备

  。超声清洗的主要原理是利用空化效应、辐射压和声流,先将硅片置于槽内的清洗液之中,利用槽底部的超声振子工作,把能量传递给液体,并以声波波前的形式通过液体。当振动比较强的时候,液体会被撕开,从而产生很多气泡,爆破后释放出来的巨大能量就可以清洗硅片的表面。在清洗液中加入合适的表面活性剂,可以增加清洗效果。清洗的优点为清洗的速度快;清洗的效果比较好;能够清洗各种复杂形状的硅片表面;易于实现遥控和自动化。它的缺点为:颗粒尺寸变小时,清洗效果不佳,对于粒径只有零点几微米的颗粒,需要利用兆声清洗才能去除。

  当今用于硅片的清洗方法多种多样,但每种方法都有各自的优缺点。过去RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术,不过随着近年来制程与清洗设备的演进,不但在清洗制程中不断产生新的技术,也随着半导体后段封装技术的演进,清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。不过,总体而言,单晶圆清洗设备的优势在于清洗精度高,背面、斜面及边缘都能得到有效的清洗,同时避免了晶圆片之间的交叉污染。在未来工艺节点不断减小的情况。

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